在AI技術的浪潮下，高性能計算的核心組件——HBM（高帶寬內存）成為了市場的寵兒，引領了一場前所未有的供應緊張局勢。這一強勁表現背后，臺積電的CoWoS先進封裝技術以及HBM技術的革新功不可沒。特別是英偉達最先進的H200芯片，首次采用了HBM3E內存規格，進一步推動了AI加速器的發展。
面對AI產業的蓬勃發展，內存行業巨頭如三星、SK海力士和美光紛紛將目光投向HBM，視其為業務增長的新引擎。HBM的火爆不僅為存儲器芯片產業注入了新的活力，還引發了市場的一系列連鎖反應：一方面，它成為緩解存儲器芯片行業整體下行趨勢的關鍵因素；另一方面，也可能加劇通用DRAM（動態隨機存取內存）的供需失衡，推高價格；同時，也加劇了技術領域的競爭態勢。
從產品分類來看，DRAM市場包括DDR、LPDDR、GDDR和HBM等多種類型。其中，HBM以其獨特的優勢在AI領域大放異彩，而DDR、LPDDR和GDDR則分別在傳統消費電子、移動設備和圖像處理等領域占據主導地位。
回顧HBM的發展歷程，從2014年HBM1的問世，到2018年HBM2的普及，再到近年來HBM3及HBM3E的推出，每一次迭代都帶來了性能的顯著提升。HBM3E作為SK海力士發布的增強版，以其高達8Gbps的傳輸速度和24GB的容量，成為市場的新寵。據透露，SK海力士計劃從2024年開始大規模量產HBM3E，以滿足日益增長的市場需求。
面對HBM市場的供不應求局面，SK海力士、三星和美光三大巨頭紛紛加大了產能投入。SK海力士正加速擴產第5代1b DRAM，以應對HBM和DDR5 DRAM的雙重需求。三星則計劃將今年的HBM產能提升至去年的近三倍，而美光也不甘落后，正在美國建設先進的HBM測試生產線，并考慮在馬來西亞設立生產基地。
在這場擴產競賽中，SK海力士憑借其HBM3產品的卓越性能，成功贏得了英偉達等重量級客戶的青睞。三星則專注于云端客戶市場，而美光則選擇了直接跳過HBM3，全力投入到HBM3E的研發和生產中。
展望未來，隨著SK海力士、三星和美光在HBM領域的持續投入和產能擴張，預計今明兩年的HBM供需缺口將逐漸縮小。然而，根據專業機構的分析，盡管供需關系有望改善，但短期內HBM市場仍將保持供不應求的狀態。同時，隨著技術的不斷進步和AI應用的持續拓展，HBM市場的前景依然廣闊。
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